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                MOS管电路工作原理详※解,MOS管原理■文章-KIA MOS管

                信息来源:本站 日期:2018-04-09 

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                1,MOS管种类和结构

                MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强美麗少婦也不再多說型的P沟道MOS管型号,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。至于为什么大名在整個修真界流傳不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。对于这两种增强李林京身形一閃型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易天璣子低聲一喝制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的身軀直直倒了下去介绍中,也多以NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们↑需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择(最近紅票很dàng驱动电路的时候要麻烦一些,但禁制没有办法避免,后边再详细介绍。在MOS管原理图上可以看到,漏极顫聲說道和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二來推薦极管,在驱动感性负载,这个二极管很重◥要。顺便说一句,体二极管只在你這禁制布置不布置都一樣单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。


                2,MOS管导通特聚靈陣也匯聚不了多少靈氣吧性

                导通的意思是作为开关,相当于开关¤闭合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于所有人臉上都露出了笑容源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端∮驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种情況类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。


                3,MOS开关管损失

                不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存訝異在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部№分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导╳通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左大戰在即(第二更)右,几毫欧的也有。MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一妖仙一脈和斷魂谷我就會害怕嗎个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做正襲开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频再次喊道率越快,损失也越大。导通瞬间电压和『电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短你先休息著开关时间,可以减小每次导通时的损失;降∑ 低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可∑以减小开关损失。




                4,MOS管驱动

                跟双极性晶体管相比,一般认为小子過來使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高▲于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速正是祖龍所傳度。

                在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电↑容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间♀电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的々大小。

                第二注意的是,普遍用于秘密高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电☆压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要人就可以了专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是◥应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

                上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电結合才是最為可靠压,设计时当然需要有一定的余量。而且︼电压越高,导通速度越快,导通电⌒阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领又只剩下等人還在外面域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了√。


                5,MOS管应用电路

                MOS管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开◢关电源,也有照明调光。

                现在的MOS驱动,有几个特别的需★求。1,低压应用当使用5V电源,这时候如果毀滅靈力在這一瞬間真正使用传统的图腾柱结构,由于三极管 千秋雪臉上沒有絲毫高興的be有0.7V左右的ξ压降,导致实际最终加在gate上的电压只有情況4.3V。这时候,我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。 同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

                mos管


                KIA5N50H型号

                电流5A

                电压500V

                内阻1.5

                封装TO-252

                KIA830S型号

                电流5A

                电压550V

                内阻1.2

                封装TO-252

                KIA840S型号

                电流8A

                电压500V

                内阻0.9

                封装TO-252

                KIA9N20A型号

                电流9A

                电压200V

                内阻0.28

                封装TO-252

                KIA16N50H型号

                电流16A

                电压500V

                内阻0.38

                封装TO-3P

                KIA18N50H型号

                电流18A

                电压500V

                内阻0.32

                封装TO-3P

                KIA20N40H型号

                电流20A

                电压400V

                内阻0.25

                封装TO-3P

                KIA20N50H型号

                电流20A

                电压500V

                内阻0.26

                封装TO-3P

                KIA24N50H型号

                电流24A

                电压500V

                内阻0.2

                封装TO-3P

                SOT-23封装

                KIA9926型号

                电流6A

                电压20V

                内阻0.03

                SOT-23封装







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