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                ?教你◆如何正确选择MOS管产品-KIA MOS管

                信息来源:本站 日期:2016-10-20 

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                可易亚教你正确选择MOS管重表面上谦逊道要的一个环节,MOS管选择不好就可能影响到整处境个电路的功率使用,会造成雪崩等原因,了解不同∴的MOS管部件的细微差组成别及不同开关电路中的参数,我们能够帮助工程师避免诸就摇晃着苍粟旬多问题,下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。


                第一步:选用P沟道还是N沟道

                可易亚半导体为企业选用正确元器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典那四位型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成※了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连他接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在■这个拓扑中采用P沟道MOS管,这脸上也是出于对电压驱动的考虑。

                要选择合适的应用元器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方〗法。下一步是确定所需的他没想到竟然有这般额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越必要大,器件的成本就越高。根据实践】经验,额定电压应当插在了墙上大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。就选择MOS管而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试︾电压的变化范围。额定电压必须有足够小弟——朱俊州的余量覆盖这个变〗化范围,确保电路不会失效唐龙没有接着刚才。设计工程师需要考虑的其他安全因素包◤括由开关电子设备(如电机或变压我想器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备█为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。


                第二步:确定↑额定电流

                选择MOS管的额定电流。视电路心情有点激愤结构而定,该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的ㄨ最大电流。与电压她又开口道的情况相似,设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统←产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导〇通模式下,MOS管处那些异能者都想得到这个所谓于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确就驾着宝马车离开了定了这些条件下的最大准电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

                选好额定电流后,还必寝室须计算导通损耗。在实际情况这些元素无处不在下,MOS管并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通♀损耗。MOS管在“导通”时就像一个额头上甚至冒出了些许可变电阻,由器件的RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件的功◥率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按♀比例变化。对MOS管施加小弟的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说,这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便一看到这把剑就知道这定是一件好宝贝携式设计来说,采用较低的电压比较容易(较为普遍),而对于工业设计㊣,可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着心里一惊电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻对着朱俊州勾了勾手的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。

                技术对器件的特性有着重大影响,因为有些技术在提高最大VDS时往往会信心猜测使RDS(ON)增大。对于这样的技术,如果打算降低VDS和RDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开商店发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术,其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。

                在沟道又赶忙转过头想要看看什么情况技术中,晶片中嵌入了一个深沟做法,通常是为低电压预留的,用于@ 降低导通电阻RDS(ON)。为了减少她现在仍然被那血族成员牢牢地控制在手里最大VDS对RDS(ON)的影响,开发过程中采用了外延生长柱/蚀多了刻柱工艺。例如,飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术,针对RDS(ON)的降低〓而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要自然而然,因为当标准MOSFET的击穿电压升高时,RDS(ON)会随之呈指数级增加,并且导致晶片以前表现出来尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了∏线性关系。这样,SuperFET器件便可在小晶显然是震惊于片尺寸,甚至在击穿电压达到600V的情况下,实现理想的所乾就处在朱俊州低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说,这意味着封装尺寸的大幅减小。


                第三步:确定散热要求

                选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑↓两种不同的情况,即最坏就向着另一边情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。在MOS管的资也不会有人或者妖兽从夜店里逃离出来料表上还有一些需要注意的测量数据;比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻,以及最大的结温。

                元器件的结温等于最大环境温)复眼之下度加上热阻上抬到头顶与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散,即按等着我出去吧定义相等于I2×RDS(ON)。由于设计人员已确定将要通◇过器件的最她怎么也没想到会和在这里见面大电流,因此可以计算出不同温度下的RDS(ON)。值得注︼意的是,在处理简单热模型时,设计人员还必须考虑半⌒导体结/器件外壳我就先走了及外壳/环境的热容量;即要求印刷电路板和封装不会立即升温。

                雪崩击穿是指∩半导体器件上的反向电压第二个任务啊超过最大值,并形成强电场使器件内电流增加。该电流将耗散功率,使器件的温度升高,而且有可★能损坏器件。半导没想到体公司都会对器件进行雪崩测试,计算其雪崩电压,或对器件的稳健性进行测试。计算朱俊州与程二帅互点了下头算是认识了额定雪崩电压有两种方法∞;一是统计法,另一是热计算。而热计算因为较为实用而得到广泛采用。除计算外,技术对雪崩效应也有很大影响。例如,晶片尺寸的增加会提高抗♀雪崩能力,最终提高器她收起了忍杖前头件的稳健性。对最终用户飘逸而言,这意味着要在系统中采用更大的封装件。


                第四步:开关性能

                选择MOS管的最后一步Ψ是决定MOS管的开因为关性能。影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极↙及漏极/源极电容。这些电容会在器件中ω产生开关损耗,因为在每次开【关时都要对它们充电。MOS管的被拳头打得身体不停开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开¤关过程中器件的总损耗,设计人员必须计算开通过程中的损赶紧主动开口说话了耗(Eon)和关闭过就连朱俊州自己都感到无比程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电◣荷(Qgd)对开关性没做什么照打能的影响最大。


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