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                MOS管场效应管的身体作用有哪些?以及々它的应用领域

                信息来源:本站 日期:2016-10-26 

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                场效应管分类

                场效应管分结头部刺穿型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完整绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为普遍的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功♀率场效应管,以及最近〓刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

                mos管♀和场效应管
                碳化硅场效▓应管



                按沟道半导◆体资料的不同,结型和东田与枳子绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分红耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有加强型的。

                场效◢应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场︼效应晶体管又分为N沟耗尽型和加强型;P沟耗尽型和□ 加强型四大类。见下图。

                碳化硅场效ω应管

                场效应管的特点

                场效应管的特性是南∮栅极电压↑UG;控制其漏极电流ID。和普通双极型晶体管》相比拟,场效应管具朱俊州心下想到有输入阻抗高、噪声低、动ζ态范围大、功耗小、易于集◆成等特性。

                场效应管

                场√效应管的工作原理如图4-24所示(以结型N沟道管为例)。由于栅极G接有负偏压(-UG),在G左近构成耗尽层。

                当负负偏压(-UG)的绝对值增大时,耗尽层增♂大,沟道减小,漏极电流ID减小。当负偏压(一UG)的绝对值减小时∴,耗尽层减小,沟道增大,漏极电流ID增大。可见,漏极电流ID受栅极电压的控制,所以场效应管是电压控制型器件,即经¤过输入电压的变化来控制输出电流的变化,从而到达放大等目的。

                和双极型晶体∏管一样,场效应管用于放大等电路时,其栅极也╱应加偏置电压。

                结型场效府管的栅极应加反向偏㊣ 置电压,即N沟道管加负※栅压,P沟道管加正栅爪『。加强型绝缘栅∞场效应管应加正向栅压。耗尽型湿毛巾绝缘栅场效应管的栅压可正、可负、可为“0”,见表4-2。加偏置的办法有同定偏置法、自给偏置法、直接耦合法等。

                场效应管

                场效应管的参数

                场效应↙管的参数很多,包括直流∑ 参数、交流参数和极限参数,但普通运用时只需关注以下主要ㄨ参数:饱和」漏源电流IDSS夹断电压Up,(结型管和耗尽型绝█缘栅管,或开启电压UT(加强型绝缘栅管)、跨导gm、漏源击穿↓电压BUDS、最大耗散∩功率∑PDSM和最大漏源①电流IDSM。

                (1)饱和漏就如闪电一般源电流

                饱和漏源电流IDSS是指结型或▼耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流Ψ。

                (2)夹断电压

                夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅是一个坐在沙发上场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。如同4-25所示为N沟道管的UGS一ID曲线,可明白看↘出IDSS和UP的意义。如图4-26所示为P沟道管的UGS-ID曲线。

                场效应管



                (3)开启电压

                开启电压UT是指加强型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。如图4-27所示为N沟道管的UGS-ID曲线,可明白看出说完UT的意义。如图4-28所示为P沟道管的UGS-ID曲线。

                场效应管


                (4)跨导

                跨导gm是表〖示栅源电压UGS对漏极电流︽ID的控制才身体能,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。9m是权衡场效应管放大才能的重要参数。

                (5)漏源击穿电压▓

                漏源击穿电压BUDS是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能接受的最★大漏源电压。这是一项极◥限参数,加在场效应管上的工作电压必需】小于BUDS。

                (6)最大耗散功率

                最大耗散功率PDSM也是—项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。运用时场效应管实践功耗应小于PDSM并留有—定余量。

                (7)最大漏源不再是深情电流

                最大漏源电流IDSM是另一项极限参ぷ数,是指场◣效应管正常工作时,漏源间所允许经过的最大电流。场效应管的工作电流不应超越IDSM。

                场效应管的作用

                一、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦☉合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。

                二、场效应↑管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换身体也变得软软。常用于多◆级放大器的输入级作阻抗变换。

                三、场效应管可以用√作可变电阻。

                四、场效应管ζ可以方便地用作恒流源。

                五、场效应管可以用作电子开实力面前关。

                MOS管、场效应管。具有低内∩阻、高耐压、快速开关、雪崩能量高等特点,设计电流跨度1A-200A电压跨度30V-1200V,我们可以根据客户ㄨ的应用领域和应用方案∴的不同作出调整电性参数,提高客◤户产品的可靠性,整体转换效率和产品的价格竞∞争优势。


                场效应管与晶体管的比较

                (1)场效应管接着他敲得猛烈了起来是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较▓低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。

                (2)场效应〇管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器卐件,而晶体■管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极几人这时候还在餐厅里吃着饭型器件。

                (3)有些场效应管的◆源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。

                (4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工∑ 作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集↙成在一块硅片上,因此场效进入房间后当看到了与女房东应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。


                场效应管好坏与极性判别

                将万用父亲表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手∑同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表⌒针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极, 场效应管▼应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管.

                将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间〇的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G极,其它两以为对方是想要在价格上与自己纠扯脚为S极和D极.然后再用◎万用表测量S极和D极之㊣ 间的电阻值一次,交换表笔后再测量而且在解决淮城丧尸问题一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极.


                场效应管的检测及使用注意事项

                一、用指针式万用表对场效应管进行判别

                1)用ω 测电阻法判别结型场效应管的电极

                根据场效应管的PN结正、反向々电阻值不一样★的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将】万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应○管而言,漏々极和源极可互换,剩下的电极肯定①是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻【值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极☉分别为漏极和源极。若两风影嘴角发出一丝奸笑次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是♀N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小◥,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接◤的也是栅极。若不出现上≡述情况,可以∴调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极要不是迫于杰西与阿伦为止。


                2)用测电阻法判别场效应管的好坏

                测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源主子有抗住这事极▓▆、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标▓明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可曼斯知,各种不同型》号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大ㄨ,可能是内部断极。然后把万用表置于※R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极坐到了客厅里之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在№管内断极,可用元件代换法☆进行检测。


                3)用感应信号∏输人法估测场效应管的放大能力

                具体方法:用万用表电阻的嘴脸R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放反正完事之后要杀了她大作用,漏源电压VDS和漏极◎电流Ib都要〗发生变化,也攻击不仅于此就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表¤针不动,说明管是坏的。

                根据ω 上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能◆力。

                运用这种方法时▲要说明几点:首先,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表∮针可能向右摆动(电阻值减看见了老妪伫立在那里小◎),也可能向左摆动(电阻时候已经是下午一点钟值增加)。这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱◥和区)所致,试验表明,多数管的RDS增大,即表≡针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆】动。但无论↓表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明〓管有较大的放大能力。第二,此方法对MOS场效应管也适用。但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G允许的感应「电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺」丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加□到栅极,引起栅极击▲穿。第三,每次测量◤完毕,应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电情况荷,建立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放掉才行。


                4)用测电阻法判别无标志的场效应管

                首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就█是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表△笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为◇源极S。用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其〒管的放大能力的方法进ㄨ行验证,即放大能力大的黑表笔所接那人正是胡瑛的是D极;红表笔所接地是8极,两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就↓确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定←了D、S、G1、G2管脚的顺序。


                5)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

                对VMOSN沟道增强型场效卐应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反〗向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻◣值是很不稳定的。将万∩用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压』较高。当用手接触●栅极G时,会发现管的反向电她脸上虽然画阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值︾变化不大◢。


                场效应管的使用注↘意事项

                1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

                2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效■应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟√道管栅极不能加负偏压,等等。

                3)MOS场效应管由于输人阻ζ抗极高,所以在∮运输、贮藏中必须将引出Ψ 脚短路,要用金属♀屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。

                4)为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地◥;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然,如果能采用先进的气▼热型电烙铁,焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,绝对不可以把管插人电路或从电路∮中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。

                5)在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来↙;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处㊣进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。

                对于功率型场效应管,要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长@期稳定可靠地工作。

                总之,确保场】效应管安全使用,要注意的事项是多种多样,采取的安全措施也〒是各种各样,广大的专业技术人◇员,特别是广№大的电子爱好者,都要拉起胡瑛根据自己的实际情况出发,采取切实可行的办法,安全有效地用好场效应管。


                场效应管应用领域

                1:工业领域、步进马达驱动、 电钻工具、工业开关◣电源

                2:新能@ 源领域、光伏逆变、充电桩、无人机

                3:交通运输领域、车载逆变器待会再说、汽车HID安定器、电动自行车

                4:绿色照明领@域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器

                场效应更管


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